Rejestracja uczestników
Rejestracja uczestników w serwisie kke.umg.edu.pl zostanie otwarta 30.01.2024
Zarejestruj się na KKE!
Szanowni Państwo,
Mam zaszczyt zaprosić Państwa na XXIII Krajową Konferencję Elektroniki, która odbędzie się w dniach od 02 do 06 czerwca 2024 roku w Darłowie.
Organizatorem konferencji jest Uniwersytet Morski w Gdyni, który kontynuuje tradycję spotkań naukowych rozpoczętą 22 lata temu przez Politechnikę Koszalińską.
Wzorem lat poprzednich na Konferencji odbędą się: sesje specjalne, prezentacje referatów plenarnych przygotowanych przez wybitnych naukowców oraz referaty zwykłe i prezentacje plakatowe.
Komitet Naukowy skupiający grono kilkudziesięciu wybitnych profesorów reprezentujących znaczące ośrodki naukowe w Polsce zamierza, podobnie jak poprzednio, zarekomendować wyróżnione prace do druku w renomowanych czasopismach naukowych, takich jak:
Gorąco zapraszam do udziału w XXIII Krajowej Konferencji Elektroniki, spodziewając się ciekawych prezentacji oraz inspirujących spotkań, którym towarzyszyć będą owocne dyskusje prowadzone na sali obrad i w plenerze.
Przewodniczący Komitetu Naukowego KKE
prof. dr hab. inż. Janusz Zarębski
Rejestracja uczestników w serwisie kke.umg.edu.pl zostanie otwarta 30.01.2024
Przesyłanie artykułów jest możliwe wyłącznie przez serwis internetowy kke.umg.edu.pl, po zarejestrowaniu się (rejestracja i nadsyłanie artykułów od 30.01.2024)
Informacja o przyjęciu artykułu będzie dostępna w serwisie internetowym kke.umg.edu.pl, wyślemy ją również e-mailem.
Opłaty za uczestnictwo w konferencji należy dokonać w formie przelewu.
Faktury pro-forma można będzie pobrać z serwisu kke.umg.edu.pl
Zakres tematyczny sesji specjalnej obejmuje wybrane zagadnienia z zakresu wytwarzania, modernizacji i modyfikacji urządzeń optoelektronicznych przeznaczonych dla zastosowań wojskowych i/lub marynistyki i ma charakter interdyscyplinarny.
Zapraszamy do uczestnictwa osoby zajmujące się tematyką dotyczącą:
Materiały o szerokiej przerwie energetycznej są intensywnie badane ze względu na ich atrakcyjne właściwości dla zastosowań w elektronice, optoelektronice, ale także w biologii i medycynie. Po pierwsze obserwujemy prawdziwą rewolucję w krótko-falowej opto-elektronice – lasery i diody LED na bazie nanostruktur azotowych. Z kolei w elektronice struktury na bazie SiC, GaN stosowane są w tranzystorach mocy. Natomiast izolatory (tlenki) o szerokiej przerwie energetycznej są stosowane jako tzw. tlenki podbramkowe w tranzystorach krzemowych (SiO2, SiON). W nowszych generacjach tranzystorów polowych zastosowano HfO2. Wprowadzenie do elektroniki krzemowej warstw HfO2 przez firmę Intel umożliwiło dalszą miniaturyzacji tranzystorów stosowanych w kolejnych generacjach układów scalonych. Te tlenki stały się kluczowymi materiałami dla przezroczystej elektroniki, w nowych generacjach pamięci półprzewodnikowych, a także w całej gamie sensorów - piezoelektrycznych, akusto-optycznych, gazowych, chemicznych i biologicznych. Ponadto te same tlenki znajdują liczne zastosowania w biologii i medycynie - jako warstwy antybakteryjne, pokrycia implantów i jako znaczniki fluorescencyjne umożliwiające wczesną detekcję zmian nowotworowych.
Zakres tematyczny sesji specjalnej obejmuje zarówno najnowsze technologie wytwarzania nanostruktur materiałów szeroko-przerwowych i ich badania, a także zastosowania tych materiałów w opto-elektronice, elektronice, fotowoltaice, i medycynie.
Zarejestruj się na KKE!